KS8695PX Micrel Advanced Memory Interface (SDRAM/ROM/FLASH/SRAM/EXTERNAL I/O) Pin Name I" />
參數(shù)資料
型號(hào)： KS8695PX
廠商： Micrel Inc
文件頁(yè)數(shù)： 22/40頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC SWITCH 10/100 1PORT 289PBGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 84
類型： 網(wǎng)關(guān)
應(yīng)用： 網(wǎng)絡(luò)和通信
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 289-PBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 289-PBGA（19x19）
包裝： 管件
配用： KS8695-EVAL-ND - EVAL KIT EXPERIMENTAL KS8695
576-1004-ND - BOARD EVAL EXPERIMENT KS8695PX
M9999-091605
29
September 2005
KS8695PX
Micrel
Advanced Memory Interface (SDRAM/ROM/FLASH/SRAM/EXTERNAL I/O)
Pin
Name
I/O Type(1)
Description
P7
DATA[31]
I/O
External Data Bus. 32-Bit bi-directional data bus for data transfer. The KS8695PX
R7
DATA[30]
also supports 8-bit and 16-bit data bus widths.
P8
DATA[29]
R8
DATA[28]
T8
DATA[27]
U8
DATA[26]
P9
DATA[25]
R9
DATA[24]
T9
DATA[23]
U9
DATA[22]
P10
DATA[21]
R10
DATA[20]
T10
DATA[19]
U10
DATA[18]
P11
DATA[17]
R11
DATA[16]
T11
DATA[15]
U11
DATA[14]
P12
DATA[13]
R12
DATA[12]
T12
DATA[11]
U12
DATA[10]
P13
DATA[9]
R13
DATA[8]
T13
DATA[7]
U13
DATA[6]
P14
DATA[5]
R14
DATA[4]
T14
DATA[3]
U14
DATA[2]
T15
DATA[1]
U15
DATA[0]
R4
SDCSN[1]
O
SDRAM Chip Select: Active low chip select pins for SDRAM. The KS8695PX sup-
ports
P5
SDCSN[0]
up to two SDRAM banks. One SDCSN output is provided for each bank.
R5
SDRASN
O
SDRAM Row Address Strobe: Active low. The row address strobe pin for SDRAM.
T5
SDCASN
O
SDRAM Column Address Strobe: Active low. The column address strobe pin for
SDRAM.
U5
SDWEN
O
SDRAM Write Enable: Active low. The write enable signal for SDRAM.
P6
SDQM[3]
O
SDRAM Data Input/Output Mask: Data input/output mask signals for SDRAM. The
R6
SDQM[2]
SDQM is sampled high and is an output mask signal for write accesses and an
T6
SDQM[1]
output enable signal for read accesses. Input data are masked during a write cycle.
U6
SDQM[0]
The SDQM0/1/2/3 correspond to DATA[7:0], DATA[15:8], DATA[23:16] and
DATA[31:24], respectively.
U16
ECSN[2]
O
External I/O Device Chip Select: Active low. Three external I/O banks are provided
T16
ECSN[1]
for external memory mapped I/O operations. Each I/O bank stores up to 16KB.
R16
ECSN[0]
The ECSNx signals indicate which of the three I/O banks is selected.
P16
EWAITN
I
External Wait: Active low. This signal is asserted when an external I/O device or a
ROM/SRAM/FLASH bank needs more access cycles than those dened in the
corresponding control register.
R15
RCSN[1]
O
ROM/SRAM/FLASH Chip Select: Active low. The KS8695PX can access up to two
P15
RCSN[0]
external ROM/SRAM/FLASH memory banks. The RCSN pins can be controlled to
map the CPU addresses into physical memory banks.
Note:
1. I = Input.
O = Output.
I/O = Bidirectional.
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