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參數(shù)資料
| 型號： | KSA1142 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Audio Frequency Power Amplifier High Freqency Power Amplifier |
| 中文描述： | 0.1 A, 180 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 211K |
| 代理商： | KSA1142 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSA1174 | PNP (AUDIO FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER) |
| KSA1175 | PNP (LOW FREQUENCY AMPLIFIER) |
| KSA1175 | Low Frequency Amplifier |
| KSA1182 | PNP (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
| KSA1244 | High Current Switching |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KSA1142OSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA1142YSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA1150 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier |
| KSA1150OBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA1150OTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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