參數(shù)資料
型號(hào)： KSA1244
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： High Current Switching
中文描述： 5000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： KSA1244
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
B
Base Current
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(Sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(Sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
t
ON
Turn ON Time
t
STG
Storage Time
t
F
Fall Time
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
- 60
- 50
- 5
- 1
- 5
1
20
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= - 10mA, I
B
= 0
V
CB
= - 50V, I
E
= 0
V
EB
= - 5V,
I
C
= 0
V
CE
= - 1V,
I
C
= - 1A
V
CE
= - 1V, I
C
= - 3A
I
C
= - 3A, I
B
= - 0.15A
I
C
= - 3A, I
C
= - 0.15A
V
CE
= - 4V, I
C
= - 1A
V
CB
= - 10V, f = 1MHz
V
CC
= - 30V, I
C
= - 3A
I
B1
= -I
B2
= - 0.15A
R
L
= 10
Min.
- 50
Typ.
Max.
Units
V
μ
A
μ
A
-1
-1
240
DC Current Gain
70
30
-0.5
-1.2
V
V
- 0.9
60
170
0.1
1
0.1
MHz
pF
μ
s
μ
s
μ
s
O
Y
h
FE1
70 ~ 140
120 ~ 240
KSA1244
High Current Switching
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
Complement to KSC3074
1. Base 2. Collector 3. Emitter
I-PACK
1
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