參數(shù)資料
型號(hào)： KSA539R
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Low Frequency Amplifier
中文描述： 200 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 37K
代理商： KSA539R
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Parameter
Ratings
-60
-45
-5
-200
400
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -10mA, I
B
=0
I
E
= -10
μ
A, I
C
=0
V
CB
= -45V, I
E
=0
V
EB
= -3V, I
C
=0
V
CE
= -1V I
C
= -50mA
V
CE
= -1V, I
C
= -10mA
I
C
= -150mA, I
B
= -15mA
I
C
= -150mA, I
B
= -15mA
Min.
-60
-45
-5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
-100
-100
240
-0.90
-0.5
-1.2
40
-0.60
-0.65
-0.25
-0.9
V
V
V
R
O
Y
40 ~ 80
70 ~ 140
120 ~ 240
KSA539
Low Frequency Amplifier
Complement to KSC815
Collector-Base Voltage: V
CBO
= -60V
Collector Power Dissipation: P
C
= 400mW
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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