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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KSA642CGBU |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| 中文描述： | 300 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/4頁(yè) |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | KSA642CGBU |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
* Collector Current (Pulse)
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
* PW
≤
10ms, Duty cycle
≤
50%
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
* DC Current Gain
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
* Pulse Test: PW
≤
350
μ
s, Duty cycle
≤
2%
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
-30
-25
-5
-300
-500
400
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -10mA. I
B
=0
I
E
= -10
μ
A. I
C
=0
V
CB
= -25V, I
E
=0
V
EB
= -3V, I
C
=0
V
CE
= -1V, I
C
= -50mA
I
C
= -300mA, I
B
= -30mA
Min.
-30
-25
- 5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
-100
-100
400
-0.6
70
-0.35
V
O
Y
G
h
FE
70 ~ 140
120 ~ 240
200 ~ 400
KSA642
Low Frequency Power Amplifier
Complement to KSD227
Collector Power Dissipation : P
C
= 400mW
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSA642G | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| KSA642GBU | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| KSA642O | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| KSA642Y | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
| KSA642YTA | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KSA642CYBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA642CYTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA642CYTA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSA642G | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Low Frequency Power Amplifier |
| KSA642GBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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