參數(shù)資料
型號： KSC3552
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RSZ Series - Econoline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 3.3V; Output Voltage (Vdc): 09V; Power: 1W; 1kVDC & 2kVDC Isolation; UL94V-0 Package Material; No Heatsink Required; No External Components Required; Toroidal Magnetics; Optional Continuous Short Circuit Protected
中文描述： 12 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 55K
代理商： KSC3552
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
CEX
(sus)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
h
FE
Classificntion
Classification
Parameter
Value
1100
800
7
12
30
6
150
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 1mA, I
E
= 0
I
C
= 5mA, I
B
= 0
I
E
= 1mA, I
C
= 0
I
C
= 6A, I
B1
= -I
B2
= 1.2A
L = 500
μ
H, Clamped
V
CB
= 800V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 0.8A
V
CE
= 5V, I
C
= 4A
I
C
= 6A, I
B
= 1.2A
I
C
= 6A, I
B
= 1.2A
V
CB
= 10V, f = 1MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 0.8A
V
CC
= 400V
51
B1
= -2.5I
B2
= I
C
= 8A
R
L
= 50
Min.
1100
800
7
800
Typ.
Max.
Units
V
V
V
V
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
C
ob
f
T
t
ON
t
STG
t
F
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
10
10
40
μ
A
μ
A
10
8
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
Turn ON Time
Storage Time
Fall Time
2
1.5
V
V
pF
MHz
μ
s
μ
s
μ
s
215
15
0.5
3
0.3
N
R
O
h
FE
10 ~ 20
15 ~ 30
20 ~ 40
KSC3552
High Voltage and High Reliabilty
High Speed Switching
Wide SOA
TO-3P
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
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PDF描述
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參數(shù)描述
KSC3552NTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC3552OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC3552RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC3569 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Speed Switching Application
KSC3569YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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