參數(shù)資料
型號(hào)： KSC5039
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Power Switch Switching Application
中文描述： 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 54K
代理商： KSC5039
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
* DC Current Gain
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
t
ON
Turn ON Time
t
STG
Storage Time
t
F
Fall Time
* Plus test: PW=300
μ
s, Duty Cycle=2% Pulsed
Parameter
Value
800
400
7
5
10
3
70
150
- 65 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 1mA, I
E
= 0
I
C
= 5mA, I
B
= 0
I
C
= 1mA, I
C
=0
V
CB
= 500V, I
E
= 0
V
EB
= 7V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 0.3A
I
C
= 2.5A, I
B
= 0.5A
I
C
= 2.5A, I
B
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.1A
V
CB
= 10V , f = 1MHz
V
CC
=150V, I
C
= 2.5A
I
B1
= -I
B2
= 0.5A
R
L
= 60
Min.
800
400
7
Typ.
Max.
Units
V
V
10
10
μ
A
μ
A
10
1.5
2.0
V
V
10
40
MHz
pF
μ
s
μ
s
μ
s
1
3
0.8
KSC5039
High Voltage Power Switch Switching
Application
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
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PDF描述
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KSC5039H1 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC5039H1TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSC5039H2 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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