參數(shù)資料
型號(hào)： KSC5302DM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage & High Speed Power Switch Application
中文描述： 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 98K
代理商： KSC5302DM
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, December 2002
K
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current (DC)
I
BP
*Base Current (Pulse)
P
C
Power Dissipation(T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Thermal Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
R
θ
jc
Thermal Resistance
R
θ
ja
Parameter
Value
800
400
12
2
5
1
2
25
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
A
A
W
°
C
°
C
Characteristics
Junction to Case
Junction to Ambient
Rating
5.0
83.3
Unit
°
C/W
KSC5302DI
High Voltage & High Speed
Power Switch Application
Built-in Free-wheeling Diode makes efficient anti saturation operation
Suitable for half-bridge light ballast Applications
No need to interest an h
FE
value because of low variable storage-time
spread even though corner spirit
Low base drive requirement
1. Base 2. Collector 3. Emitter
I-PAK
1
C
B
E
Equivalent Circuit
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KSC5302DMTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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