型號: | KSC5504DT |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | High Voltage High Speed Power Switch Application |
中文描述: | 4 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-263 |
封裝: | D2PAK-3 |
文件頁數(shù): | 6/10頁 |
文件大小: | 104K |
代理商: | KSC5504DT |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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KSC5504D | High Voltage High Speed Power Switch Application |
KSC945 | Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC. |
KSC945CG | Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC. |
KSC945CL | Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC. |
KSC945CO | Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC. |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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KSC5504DTM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN HI-VOLT HI-SPEED D2PAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
KSC5504DTTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN HI-VOLT HI-SPEED RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
KSC5603D | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
KSC5603D_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor, Planar Silicon Transistor |
KSC5603DTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Planar Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |