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參數(shù)資料
| 型號： | KSC945R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC. |
| 中文描述： | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | KSC945R |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, September 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Output Capacitance
NF
Noise Figure
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Parameter
Value
60
50
5
150
250
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=40V, I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
V
CE
=6V, I
C
=1.0mA
I
C
=100mA, I
B
=10mA
V
CE
=6V, I
C
=10mA
V
CB
=6V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
=6V, I
C
=0.5mA
f=1KHz, R
S
=500
Min.
60
50
5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
0.1
0.1
700
0.3
40
0.15
300
2.5
4.0
V
MHz
pF
dB
R
O
Y
G
L
40 ~ 80
70 ~ 140
120 ~ 240
200 ~ 400
350 ~ 700
KSC945
Audio Frequency Amplifier & High
Frequency OSC.
Complement to KSA733
Collector-Base Voltage : V
CBO
=60V
High Current Gain Bandwidth Product : f
T
=300MHz (TYP)
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
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PDF描述 |
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| KSC945YTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSC945YTA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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