參數(shù)資料
型號(hào)： KSD1021
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： FERRITE BEAD 80 OHM 200MA 0603
中文描述： 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92S, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： KSD1021
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Band Width Product
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
40
30
5
1
350
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
V
CE
=1V, I
C
=100mA
I
C
=1A, I
B
=0.1A
I
C
=1A, I
B
=0.1A
V
CE
=6V, I
C
=10mA
V
CB
=6V, I
E
=0, f=1MHz
Min.
40
30
5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
0.1
400
0.5
1.2
70
V
V
130
16
MHz
pF
O
Y
G
h
FE
70 ~ 140
120 ~ 240
200 ~ 400
KSD1021
Audio Frequency Power Amplifier
Complement to KSB811
Collector Current : I
C
=1A
Collector Dissipation : P
C
=350mW
1.Emitter 2. Collector 3. Base
TO-92S
1
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KSD1021GTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1021GTA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD1021OBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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