參數(shù)資料
型號(hào)： KSD2012
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER
中文描述： 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 46K
代理商： KSD2012
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter ON Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Value
60
60
7
3
0.3
25
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 50mA, I
B
= 0
V
CB
= 60V, I
E
= 0
V
EB
= 7V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
C
= 3A
I
C
= 2A, I
B
= 0.2A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
Min.
60
Typ.
Max.
Units
V
μ
A
μ
A
100
10
320
DC Current Gain
100
20
0.4
0.7
3
1
1
V
V
MHz
Y
G
h
FE1
100 ~ 200
150 ~ 320
KSD2012
Low Frequency Power Amplifier
Complement to KSB1366
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
TO-220F
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PDF描述
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KSD2012Y 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
KSD2012YTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD2012YYDTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSD203AC2 制造商:COSMO 制造商全稱:COSMO Electronics Corporation 功能描述:SOLID STATE RELAY
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