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參數(shù)資料
| 型號： | KSD288 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Power Regulator Low Frequency High Power Amplifier |
| 中文描述： | 3 A, 55 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | KSD288 |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Value
80
55
5
3
25
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=500
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=500
μ
A, I
C
=0
V
CB
=50V,I
E
=0
V
CE
=5V,I
C
=0.5A
I
C
=1A, I
B
=0.1A
Min.
80
55
5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
50
240
1
40
V
R
O
Y
h
FE
40 ~ 80
70 ~ 140
120 ~ 240
KSD288
Power Regulator
Low Frequency High Power Amplifier
Collector-Base Voltage : V
CBO
=80V
Collector Dissipation : P
C
=25W(T
C
=25
°
C)
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
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