參數(shù)資料
型號: KSD5018
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Built-in Resistor at B-E for Motor Drive
中文描述: 4 A, 275 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大?。?/td> 38K
代理商: KSD5018
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Sym-
bol
V
CBO
Collector- Base Voltage
V
CEO
Collector- Emitter Voltage
V
EBO
Emitter Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
I
CP
*Collector Current (Pulse)
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CEO
(sus)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
BV
CER
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CES
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Parameter
Value
Units
600
275
10
4
6
0.5
40
150
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
- 55 ~ 150
Test Condition
Min.
275
600
Max.
Units
V
V
mA
mA
V
V
V
I
C
= 1.5A, I
B
= 0.05A, L = 25mH
I
C
= 1mA, R
BE
= 330
V
CE
= 500V
V
EB
= 10V, I
C
= 0
I
C
= 2A, I
B
= 5mA
I
C
= 3A, I
B
=
20mA
I
C
= 2A, I
B
= 5mA
1
1
1.5
1.5
2
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
KSD5018
Built-in Resistor at B-E for Motor Drive
High Voltage Power Darlington TR
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
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KSD5018PWD 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSD5018TU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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