參數(shù)資料
型號(hào)： KSD526
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Power Amplifier Applications
中文描述： Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 62K
代理商： KSD526
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation ( T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter ON Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
C
ob
Collector Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Value
80
80
5
4
0.4
30
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Test Condition
V
CB
= 80V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
I
C
= 50mA, I
B
= 0
I
E
= 10mA, I
C
= 0
V
CE
= 50V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 5V, I
C
= 3A
I
C
= 3A, I
B
= 0.3A
V
CE
= 5V, I
C
= 3A
V
CE
= 5V, I
C
= 0.5A
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
Min.
Typ.
Max.
30
100
Units
μ
A
μ
A
V
V
80
5
40
15
DC Current Gain
50
0.45
1
8
90
240
1.5
1.5
V
V
3
MHz
pF
R
O
Y
h
FE
40 ~ 80
70 ~ 140
120 ~ 240
KSD526
Power Amplifier Applications
Complement to KSB596
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
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PDF描述
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KSD526OTU 功能描述:TRANSISTOR NPN 80V 4A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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