參數(shù)資料
型號： KSE13008
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Switch Mode Application
中文描述： 12 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 48K
代理商： KSE13008
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, January 2001
K
NPN Silicon Transisor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CEO
(sus)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
* Pulse test: PW
≤
300
μ
s, Duty cycle
≤
2%
Parameter
Value
Units
: KSE13008
: KSE13009
600
700
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: KSE13008
: KSE13009
300
400
9
12
24
6
100
150
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Junction Temperature
Storage Temperature
- 65 ~ 150
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Units
: KSE13008
: KSE13009
I
C
= 10mA, I
B
= 0
300
400
V
V
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
* Collector-Emitter Saturation Voltage
V
EB
= 9V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 5A
V
CE
= 5V, I
C
= 8A
I
C
= 5A, I
B
= 1A
I
C
= 8A, I
B
= 1.6A
I
C
= 12A, I
B
= 3A
I
C
= 5A, I
B
= 1A
I
C
= 8A, I
B
= 1.6A
V
CB
= 10V, f = 0.1MHz
V
CE
= 10V, I
C
= 0.5A
V
CC
= 125V, I
C
= 8A
I
B1
= - I
B2
= 1.6A
R
L
= 15,6
1
mA
8
6
40
30
1
1.5
3
1.2
1.6
V
CE
(sat)
V
V
V
V
V
pF
MHz
μ
s
μ
s
μ
s
V
BE
(sat)
* Base-Emitter Saturation Voltage
C
ob
f
T
t
ON
t
STG
t
F
Output Capacitance
Current Gain Bandwidth Product
Turn On Time
Storage Time
Fall Time
180
4
1.1
3
0.7
KSE13008/13009
High Voltage Switch Mode Application
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
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PDF描述
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參數(shù)描述
KSE13008TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE13009 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE13009F 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE13009FTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE13009H2 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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