參數(shù)資料
型號: KSE182
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching Applications
中文描述: 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝: TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 50K
代理商: KSE182
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, January 2001
K
Dimensions in Millimeters
3.25
±
0.20
8.00
±
0.30
3.20
±
0.10
0.75
±
0.10
#1
0.75
±
0.10
2.28TYP
[2.28
±
0.20]
2.28TYP
[2.28
±
0.20]
1.60
±
0.10
1
±
0
3
±
0
1
1
±
0
1
±
0
1.75
±
0.20
(0.50)
(1.00)
0.50
+0.10
–0.05
TO-126
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PDF描述
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參數(shù)描述
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KSE200 制造商:Molex 功能描述:KIT EUROSTYLE 5.08MM K-ESE200
KSE200STSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSE210 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Feature
KSE210STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2