參數(shù)資料
型號： KSE3055T
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： General Purpose and Switching Applications
中文描述： 10000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： KSE3055T
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A1, December 2000
K
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector -Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CEO
Collector Cut-off Current
I
CEX1
I
CEX2
* Pulse test: PW
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2% Pulse
Parameter
Value
70
60
5
10
6
75
0.6
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
Min.
60
Max.
Units
V
μ
A
mA
mA
I
C
= 200mA, I
B
= 0
V
CE
= 30V, I
B
= 0
V
CE
= 70V, V
BE
(off) = -1.5V
V
CE
= 70V, V
BE
(off) = -1.5V
@ T
C
= 150
°
C
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 4V, I
C
= 4A
V
CE
= 4V, I
C
= 10A
I
C
= 4A, I
B
= 0.4A
I
C
= 10A, I
B
= 3.3A
V
CE
= 4V, I
C
= 4A
V
CE
= 10V, I
C
= 500mA
700
1
5
Collector Cut-off Current
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-off Current
*DC Current Gain
*Collector-Emitter Saturation Voltage
5
100
mA
20
5
V
CE
(sat)
1.1
8
1.8
V
V
V
V
BE
(on)
f
T
*Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
2
MHz
KSE3055T
General Purpose and Switching Applications
DC Current Gain Specified to I
C
=10A
High Current Gain-Bandwidth Product : f
T
= 2MHz (Min.)
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
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