參數(shù)資料
型號： KSP44
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： High Voltage Transistor
中文描述： 300 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： KSP44
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CBO
Collector-Base Voltage
: KSP44
: KSP45
500
400
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
: KSP44
: KSP45
400
350
6
300
625
1.5
150
V
V
V
V
EBO
I
C
P
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation (T
a
=25
°
C)
Collector Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Junction Temperature
Storage Temperature
mA
mW
W
°
C
°
C
-55 ~ 150
Symbol
BV
CBO
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
Collector-Base Breakdown Voltage
: KSP44
: KSP45
I
C
=100
μ
A, I
B
=0
500
400
V
V
BV
CEO
* Collector -Emitter Breakdown Voltage
: KSP44
: KSP45
I
C
=1mA, I
B
=0
400
350
6
V
V
V
BV
EBO
I
CBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
: KSP44
: KSP45
V
CB
=400V, I
E
=0
V
CB
=320V, I
E
=0
0.1
0.1
μ
A
μ
A
I
CES
Collector Cut-off Current
: KSP44
: KSP45
V
CE
=400V, I
B
=0
V
CE
=320V, I
B
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=1mA
V
CE
=10V, I
C
=10mA
V
CE
=10V, I
C
=50mA
V
CE
=10V, I
C
=100mA
I
C
=1mA, I
B
=0.1mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=50mA, I
B
=5mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
CB
=20V, I
E
=0, f=1MHz
0.5
0.5
0.1
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
h
FE
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
40
50
45
40
200
V
CE
(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
0.4
0.5
0.75
0.75
7
V
V
V
V
pF
V
BE
(sat)
C
ob
* Base-Emitter Saturation Voltage
Output Capacitance
KSP44/45
High Voltage Transistor
Collector-Emitter Voltage: V
CEO
=KSP44: 400V
KSP45: 350V
Collector Power Dissipation: P
C
(max)=625mW
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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