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參數(shù)資料
| 型號： | KSP5179 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | CAP .01UF 50V X7R 10% .200LS .022LD |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 26K |
| 代理商： | KSP5179 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, September 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation (T
a
=25
°
C)
Derate above 25
°
C
P
C
Collector Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Derate above 25
°
C
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CEO
(sus)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
Parameter
Value
20
12
2.5
50
200
1.6
300
2.4
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
mW/
°
C
mW
mW/
°
C
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=3mA, I
B
=0
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=15V, I
E
=0
V
CB
=15V, I
E
=0, Ta=150
°
C
V
CB
=1V, I
C
=3mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
CE
=6V, I
C
=5mA
V
CB
=10V, I
E
=0, f=0.1 to1 MHz
V
CE
=6V, I
C
=2mA, f=1KHz
V
CE
=6V, I
E
=2mA, f=31.9MHz
V
CE
=6V, I
C
=1.5mA, f=200MHz
R
S
=50
Min.
12
20
2.5
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
0.02
1
250
0.4
1
2000
1
300
14
4.5
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
T
C
ob
h
fe
C
c
rbb’
NF
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Small Signal Current Gain
Collector Base Time Constant
Noise Figure
25
V
V
900
MHz
pF
25
3
ps
dB
KSP5179
High Frequency Transistor
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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| KSP5179TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP5179TA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP5179TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| KSP52 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述: |
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