參數資料
型號： KSP5179
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： CAP .01UF 50V X7R 10% .200LS .022LD
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數： 2/3頁
文件大小： 26K
代理商： KSP5179
0.46
±
0.10
1.27TYP
[1.27
±
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]
(R2.29)
3
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(
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+0.25
–0.15
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+0.10
0
+
–
TO-92
Package Dimensions
K
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, September 2002
相關PDF資料
PDF描述
KSP55 CAP .010UF 50V CERAMIC X7R 10%
KSP56 PNP Epitaxial Silicon Transistor
KSP62 Darlington Transistor
KSP63 Darlington Transistor
KSP64 Darlington Transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
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KSP5179TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSP5179TA_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSP5179TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSP52 制造商:OTAX Corporation 功能描述:
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