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參數(shù)資料
| 型號： | KST13 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Darlington Amplifier Transistor |
| 中文描述： | 300 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | KST13 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CES
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
Marking Code
Parameter
Value
30
30
10
300
350
150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
Test Condition
I
C
=100
μ
A, V
BE
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
V
EB
=10V, I
C
=0
Min.
30
Max.
Units
V
nA
nA
100
100
: KST13
: KST14
: KST13
: KST14
V
CE
=5V, I
C
=10mA
V
CE
=5V, I
C
=100mA
5K
10K
10K
20K
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
I
C
=100mA, I
B
=0.1mA
V
CE
=5V, I
C
=100mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA
f=100MHz
1.5
2.0
V
V
125
MHz
Type
Mark
KST13
1M
KST14
1N
KST13/14
Darlington Amplifier Transistor
1M
Marking
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KST14 | Darlington Amplifier Transistor |
| KST2222A | General Purpose Transistor |
| KST24 | VHF Mixer Transistor |
| KST2907 | General Purpose Transistor |
| KST3904 | General Purpose Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KST13MTF | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KST13MTF_Q | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KST14 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Darlington Amplifier Transistor |
| KST14MTF | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KST14MTF_Q | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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