參數(shù)資料
型號(hào)： KST5550
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： High Voltage Transistor
中文描述： 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： KST5550
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, November 2002
K
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
Parameter
Value
160
140
6
600
350
150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
Test Condition
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=100V, I
E
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=1.0mA
V
CE
=5V, I
C
=10mA
V
CE
=5V, I
C
=50mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=50mA, I
B
=5mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
I
C
=50mA, I
B
=5mA
I
C
=10mA, V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1.0MHz
Min.
160
140
6
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
100
50
60
60
20
250
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.15
0.25
1.0
1.2
300
V
V
V
V
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
100
MHz
C
ob
Output Capacitance
6.0
pF
1. Base 2. Emitter 3. Collector
KST5550
High Voltage Transistor
1F
Marking
SOT-23
1
2
3
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PDF描述
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KSV1401 SILICON HYPERABRUPT TUNING DIODES
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參數(shù)描述
KST5550MTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST5551 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistor
KST5551MTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST5551MTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KST55MTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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