參數(shù)資料
型號： KTK211
廠商： KEC Holdings
英文描述： N CHANNEL JUNCTION FIFLD EFFFCT TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, VHF BAND AMPLIFIER)
中文描述： N通道結(jié)FIFLD EFFFCT晶體管（高頻，甚高頻波段放大器）
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 401K
代理商： KTK211
2003. 2. 25
1/3
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
KTK211
N CHANNEL JUNCTION FIELD
EFFECT TRANSISTOR
Revision No : 2
HIGH FREQUENCY APPLICATION.
VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION.
FEATURES
Low Noise Figure : NF=2.5dB(Typ.) (f=100MHz).
High Forward Transfer Admittance.
: |y
fs
| =9mS(Typ.)
Extremely Low Reverse Transfer Capacitance.
: C
rss
=0.1pF(Typ.)
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DIM
MILLIMETERS
2.93 0.20
+
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
SOT-23
A
B
C
D
E
1.30+0.20/-0.15
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
G
H
J
K
L
M
N
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
H
G
A
N
C
B
D
1.30 MAX
L
L
P
P
P
7
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Gate-Drain Voltage
V
GDO
-18
V
Gate Current
I
G
10
mA
Drain Power Dissipation
P
D
150
mW
Junction Temperature
T
j
150
Storage Temperature Range
T
stg
-55
150
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
=-0.5V, V
DS
=0
-
-
-10
nA
Gate-Drain Breakdown Voltage
V
(BR)GDO
I
G
=-100 A
-18
-
-
V
Drain Current
I
DSS
(Note)
V
GS
=0, V
DS
=10V
1.0
-
15
mA
Gate-Source Cut-off Voltage
V
GS(OFF)
V
DS
=10V, I
D
=1 A
-0.4
-
-4.0
V
Foward Transfer Admittance
|y
fs
|
V
DS
=10V, V
GS
=0, f=1kHz
-
9
-
mS
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
V
GD
=-10V, f=1MHz
-
0.10
0.15
pF
Power Gain
G
PS
V
DD
=10V, f=100MHz (Fig.)
-
18
-
dB
Noise Figure
NF
V
DD
=10V, f=100MHz (Fig.)
-
2.5
3.5
dB
Note : I
DSS
Classification O:1.0
3.0, Y:2.5
10.0, BL(B):9.0
6.0,
GR(G):5.0
15.0
I Rank
Type Name
Marking
Lot No.
K
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PDF描述
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