參數(shù)資料
型號(hào)： KTX321U
廠商： KEC Holdings
英文描述： EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 外延平面PNP晶體管N通道MOS場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： KTX321U
2003. 11. 20
3/6
KTX321U
Revision No : 0
C
C
BASE-EMITTER VOLTAGE V (V)
I - V
BE
Ta=125 C
Ta=25 C
V =-2V
I /I =20
V =-2V
Ta=25 C
V =-2V
I /I =20
I /I =50
I /I =20
I /I =10
Ta=125 C
Ta=25 C
Ta=-40 C
Ta=25 C
Ta=25 C
Ta=-40 C
T1
T2C
T-
10
1K
30
50
100
300
500
V - I
COLLECTOR CURRENT I (mA)
C
C
C
V
-1
-3
-1
-10
-30
-100
-300
-1K
-3
-5
-10
-30
-50
-100
-300
-500
-1K
V - I
COLLECTOR CURRENT I (mA)
C
C
C
V
-1
-3
-1
-10
-30
-100
-300
-1K
-3
-5
-10
-30
-50
-100
-300
-500
-1K
0
-1
-0.5
-1.0
-1.5
-3
-5
-10
-30
-50
-100
-300
-500
-1K
f - I
COLLECTOR CURRENT I (mA)
C
T
T
-1
-3
-10
-30
-100
-300
-1K
-100
-10K
-300
-500
-1K
-3K
-5K
V - I
COLLECTOR CURRENT I (mA)
C
B
B
V
-1
-3
-10
-30
-100
-300
-1K
10
1K
30
50
100
300
500
-1
-3
-10
-30
-100
-300
-1K
D
F
COLLECTOR CURRENT I (mA)
h - I
C
Q (PNP TRANSISTOR)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KTX401E EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE (GENERAL PURPOSE, ULTRA HIGH SPEED SWITCHING)
KTX401U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE (GENERAL PURPOSE, ULTRA HIGH SPEED SWITCHING)
KTX402U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE (GENERAL PURPOSE, LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
KTX403U EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE (SWITCHING, LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
KTX511T EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
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參數(shù)描述
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