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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | kw15n120 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速S-IGBT) |
| 中文描述： | 快速的S -不擴(kuò)散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴(kuò)散技術(shù)中的快速第S - IGBT的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 401K |
| 代理商： | KW15N120 |
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Preliminary
SKW15N120
Power Semiconductors
9
Mar-00
t
r
,
R
200A/
μ
s
400A/
μ
s
600A/
μ
s
800A/
μ
s
1000A/
μ
s
0ns
50ns
100ns
150ns
200ns
250ns
300ns
350ns
400ns
I
F
=7.5A
I
F
=15A
Q
r
,
R
200A/
μ
s
400A/
μ
s
600A/
μ
s
800A/
μ
s
1000A/
μ
s
0.0μC
0.5μC
1.0μC
1.5μC
2.0μC
2.5μC
I
F
=7.5A
I
F
=15A
di
F
/dt
,
DIODE CURRENT SLOPE
Figure 21. Typical reverse recovery time as
a function of diode current slope
(
V
R
= 800V,
T
j
= 150
°
C)
di
F
/dt
,
DIODE CURRENT SLOPE
Figure 22. Typical reverse recovery charge
as a function of diode current slope
(
V
R
= 800V,
T
j
= 150
°
C)
I
r
,
R
200A/
μ
s
400A/
μ
s
600A/
μ
s
800A/
μ
s
1000A/
μ
s
0A
5A
10A
15A
20A
25A
30A
I
F
=7.5A
I
F
=15A
d
r
/
,
D
O
200A/
μ
s
400A/
μ
s
600A/
μ
s
800A/
μ
s
1000A/
μ
s
0A/
μ
s
100A/
μ
s
200A/
μ
s
300A/
μ
s
400A/
μ
s
I
F
=7.5A
I
F
=15A
di
F
/dt
,
DIODE CURRENT SLOPE
Figure 23. Typical reverse recovery current
as a function of diode current slope
(
V
R
= 800V,
T
j
= 150
°
C)
di
F
/dt
,
DIODE CURRENT SLOPE
Figure 24. Typical diode peak rate of fall of
reverse recovery current as a function of
diode current slope
(
V
R
= 800V,
T
j
= 150
°
C)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| kw25n120 | Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速S-IGBT) |
| KWT824 | FLASH LED DEVICE |
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| KWTS90B | WHITE SIDE VIEW LED |
| KX-T2365SU | SCHEMATIC DIAGRAM |
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參數(shù)描述 |
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| KW1-601A2 | 制造商:LUCKY-LIGHT 制造商全稱:LUCKY-LIGHT 功能描述:LED Numeric Display Single Digit (0.60) |
| KW1-601A3 | 制造商:LUCKY-LIGHT 制造商全稱:LUCKY-LIGHT 功能描述:LED Numeric Display Single Digit (0.60) |
| KW1-601A6 | 制造商:LUCKY-LIGHT 制造商全稱:LUCKY-LIGHT 功能描述:LED Numeric Display Single Digit (0.60) |
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