參數(shù)資料
型號: L2821
廠商: Polyfet RF Devices
英文描述: SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR
中文描述: 硅柵增強型射頻功率LDMOS晶體管
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大?。?/td> 42K
代理商: L2821
L2C 1 DIE ID, GM vs VG
0.1
1
10
100
0
2
4
8
10
12
14
Vgs in Volts
ID
GM
L2C1DIE CAP ACIT ANCE
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
L 2 8 2 1 P i n v s P out F = 5 0 0 MH Z , V D S = 1 2 . 5 V , Id q= . 2 A
0
2
4
6
8
10
12
0
0.5
1
1.5
2
P i n i n W a t t s
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
16.00
18.00
20.00
Pout
Gain
Efficiency@8W=46%
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
L2821
L2C 1 DIE IV
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
2
4
6
8
12
14
16
18
20
VDS I10
Vg=6v
I
vg=2v
Vg=4v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 04/27/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
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