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參數(shù)資料
| 型號： | L2SC2411KPLT1G |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Medium Power Transistor NPN silicon |
| 中文描述： | 中功率NPN硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商： | L2SC2411KPLT1G |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
L2SC2411K*LT1-3/4
L2SC2411K*LT1
Electrical characteristic curves(T
A
= 25
°
C)
500 1000
0.1
200
10
0.2
50
100
0.5
20
1
2
5
20
10
50
100
200
500
1000
D
F
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
Fig.5 DC current gain vs. collector current
Ta =100
O
C
75
O
C
50
O
C
25
O
C
0
O
C
25
O
C
50
C
V
CE
=
3V
Fig.6 Gain bandwidth product vs. emitter current
EMITTER CURRENT : I
E
(mA)
T
T
(
Ta
=
25
O
C
V
CE
=
5V
0.5
1
2
5
10
20
50
50
100
200
500
0.5
1
2
5
10
20
50
5
2
10
20
50
Cb
Cob
Ta
=25
O
C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
I
C
=
0A
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CE
(V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE: V
EB
(V)
C
E
Fig.7 Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
Emitter input capacitance vs.
emitter-base voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| L2SC2411KQLT1G | Medium Power Transistor NPN silicon |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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