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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LBAW56LT1G |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Monolithic Dual Switching Diode Common Anode |
| 中文描述： | 單片雙開關(guān)二極管共陽(yáng)極 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | LBAW56LT1G |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LBAW56LT1-3/3
D
J
K
L
A
C
B S
H
G
V
1
2
mm
inches
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
INCHES
MILLIMETERS
MIN
2.80
1.20
0.89
0.37
1.78
0.013
0.085
0.35
0.89
2.10
0.45
DIM
MIN
0.1102
0.0472
0.0350
0.0150
0.0701
0.0005
0.0034
0.0140
0.0350
0.0830
0.0177
MAX
0.1197
0.0551
0.0440
0.0200
0.0807
0.0040
0.0070
0.0285
0.0401
0.1039
0.0236
MAX
3.04
1.40
1.11
0.50
2.04
0.100
0.177
0.69
1.02
2.64
0.60
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
0.031
0.8
SOT-23
3
LBAW56LT1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LBC807-16LT1 | General Purpose Transistors PNP Silicon |
| LBC807-16LT1G | General Purpose Transistors PNP Silicon |
| LBC807-25LT1 | General Purpose Transistors PNP Silicon |
| LBC807-25LT1G | General Purpose Transistors PNP Silicon |
| LBC807-40LT1 | General Purpose Transistors PNP Silicon |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LBAW56WT1G | 制造商: 功能描述:DIODE SOT-23 |
| LBAW56WT3G | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Dual Switching Diodes |
| LBB110 | 功能描述:固態(tài)繼電器-PCB安裝 DPST-NC/NC 8PIN DIP RoHS:否 制造商:Omron Electronics 控制電壓范圍: 負(fù)載電壓額定值:40 V 負(fù)載電流額定值:120 mA 觸點(diǎn)形式:1 Form A (SPST-NO) 輸出設(shè)備:MOSFET 封裝 / 箱體:USOP-4 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| LBB110 | 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述:RELAY |
| LBB110E | 制造商:IXYS Integrated Circuits Division 功能描述: |
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