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參數(shù)資料
| 型號： | LBSS138LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | Power MOSFET 200 mAmps, 50 Volts N-hannel SOT-3 |
| 中文描述： | 功率MOSFET 200 mAmps，50伏特蘼漢耐爾的SOT - 3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | LBSS138LT1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LBSS138LT1
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
R
Figure 6. On–Resistance versus Drain Current
0
0.1
0.2
2
5
6
Figure 7. On–Resistance versus Drain Current
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 8. On–Resistance versus Drain Current
0.001
0.1
1
Figure 9. On–Resistance versus Drain Current
VSD, DIODE FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Body Diode Forward Voltage
I
25
°
C
VGS = 2.5 V
TJ = 150
°
C
4
0
0.2
0.4
0.6
3
0.01
-55
°
C
25
°
C
0.8
R
0
0.1
0.2
1
7
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
VGS = 2.75 V
5
3
0
120
40
0
80
5
10
Ciss
15
0.05
0.15
0.25
150
°
C
-55
°
C
6
8
4
2
0.05
0.15
0.25
20
1.0
1.2
150
°
C
25
°
C
-55
°
C
8
9
7
100
20
60
Figure 11. Capacitance
R
0
0.2
0.4
0.05
1
2.5
3
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
25
°
C
VGS = 4.5 V
2
1.5
R
0
0.2
0.4
0.05
1
4
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
VGS = 10 V
3
2
0.1
0.3
0.5
150
°
C
-55
°
C
3.5
4.5
2.5
1.5
0.1
0.3
0.5
150
°
C
25
°
C
-55
°
C
4
4.5
3.5
10
1
0.25
0.45
0.15
0.35
5
5.5
6
0.25
0.45
0.15
0.35
25
Coss
Crss
LBSS138LT1
-
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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