參數(shù)資料
型號(hào)： LET9045S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
中文描述： 射頻功率晶體管的LDMOS增強(qiáng)技術(shù)在塑料包裝
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
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代理商： LET9045S
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LET9045S
Ouput Power Vs Drain Voltage
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
Vdd (V)
P
Idq = 250 mA
f = 945 MHz
Pin = 1.5 W
Pin = 1 W
Efficiency Vs Output Power
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
60
70
Pout (W)
N
Vdd = 28 V
Idq = 250 mA
f = 945 MHz
Power Gain Vs
Output Power
1
10
100
1000
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
Vds (V)
C
Coss
Ciss
Crss
f = 1 MHz
TYPICAL PERFORMANCE
Drain Current Vs Gate-Source Voltage
0.0
0.5
1.0
1.5
0
1
2
3
4
5
Vgs (V)
I
Vdd = 28 V
Power Gain Vs
Output Power
12
13
14
15
16
17
18
19
20
1
10
100
Pout (W)
G
Vdd = 28 V
f = 945 MHz
Idq = 100 mA
Idq = 250 mA
Idq = 100 mA
Idq = 600 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LET9060C RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
LET9060S RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
LET9085 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
LET9130 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology
LF120 Very Low Drop Voltage Regulator with Inhabit(帶禁止的低壓差電壓穩(wěn)壓器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LET9045TR 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
LET9060 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET9060C 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Power LdmoST 60W 18 dB 945MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET9060F 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Power LdmoST 60W 18 dB 945MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
LET9060S 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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