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參數(shù)資料
| 型號： | LM385 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Micropower Voltage Reference Diodes(微功耗電壓基準) |
| 中文描述： | 微功耗電壓基準二極管（微功耗電壓基準） |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | LM385 |
LM285, LM385B
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C, unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
LM2851.2
LM3851.2
/
LM385B1.2
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Reverse Breakdown Voltage Change with Current
I
Rmin
I
R
1.0 mA, T
A
= +25
°
C
T
A
= T
low
to T
high
(Note 2)
1.0 mA
I
R
20 mA, T
A
= +25
°
C
T
A
= T
low
to T
high
(Note 2)
V
(BR)R
1.0
1.5
10
20
2.0
2.5
20
25
mV
Reverse Dynamic Impedance
I
R
= 100 A, T
A
= +25
°
C
Z
0.6
0.6
Average Temperature Coefficient
20 A
I
R
20 mA, T
A
= T
low
to T
high
(Note 2)
V
(BR)
/ T
80
80
ppm/
°
C
Wideband Noise (RMS)
I
R
= 100 A, 10 Hz
f
10 kHz
n
120
120
V
Long Term Stability
I
R
= 100 A, T
A
= +25
°
C
±
0.1
°
C
S
20
20
ppm/kHR
2. T
low
T
high
= +85
°
C for LM2851.2, LM2852.5
T
low
= 0
°
C for LM3851.2, LM385B1.2, LM3852.5, LM385B2.5
T
high
= +70
°
C for LM3851.2, LM385B1.2, LM3852.5, LM385B2.5
= 40
°
C for LM2851.2, LM2852.5
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