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參數(shù)資料
| 型號： | LNA2901L |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAs Infrared Light Emitting Diode |
| 中文描述： | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| 封裝： | PLASTIC, LT5RL102-002, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | LNA2901L |
1
Infrared Light Emitting Diodes
LNA2901L
GaAs Infrared Light Emitting Diode
2.54
2-0.8 max.
2-0.6
±
0.15
7
±
0
0
±
0
2
±
1
5
±
0
2
±
1
1
1
1
2
N
1: Cathode
2: Anode
Unit : mm
5.0
±
0.2
±
0
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
P
D
I
F
I
FP*
V
R
T
opr
T
stg
Ratings
160
50
1
3
–25 to +85
– 40 to +100
Unit
mW
mA
A
V
C
C
Power dissipation
Forward current (DC)
Pulse forward current
Reverse voltage (DC)
Operating ambient temperature
Storage temperature
*
f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %
For optical control systems
Features
High-power output, high-efficiency : I
e
= 9 mW/sr (min.)
Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors
Transparent epoxy resin package
Long lead-wire type
Electro-Optical Characteristics
(Ta = 25C)
Parameter
Symbol
I
e
P
O
λ
P
λ
V
F
V
FP*
I
R
C
t
θ
Conditions
min
9
typ
max
Unit
mW/sr
mW
nm
nm
V
V
μ
A
pF
deg.
Center radiant intensity
Radiant power
Peak emission wavelength
Spectral half band width
Forward voltage (DC)
Pulse forward voltage
Reverse current (DC)
Capacitance between terminals
Half-power angle
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
F
= 50mA
I
FP
= 1A
V
R
= 3V
V
R
= 0V, f = 1MHz
12
950
50
1.3
1.5
3
10
35
20
The angle in which radiant intencity is 50%
*
f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LNA2903L | GaAs Infrared Light Emitting Diode |
| LNA2904L | GaAs Infrared Light Emitting Diode |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| LNA2903L | 功能描述:IR LED 950NM 25 DEG T1-3/4 RoHS:是 類別:光電元件 >> 紅外發(fā)射極 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電流 - DC 正向(If):100mA 輻射強(qiáng)度(le)最小值@正向電流:27mW/sr @ 100mA 波長:940nm 正向電壓:1.6V 視角:40° 方向:頂視圖 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 包裝:帶卷 (TR) |
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