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參數(shù)資料
| 型號： | LT1102ACN8 |
| 廠商： | Linear Technology |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC PREC INSTRMNT-AMP JFET 8-DIP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 50 |
| 放大器類型： | 儀表 |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 30 V/µs |
| 增益帶寬積： | 3.5MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 3pA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 180µV |
| 電流 - 電源： | 3.3mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | ±9 V ~ 18 V |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-PDIP |
| 包裝： | 管件 |
LT1102
4
1102fb
LT1102AM
LT1102M/I
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
UNITS
GE
Gain Error
G = 100, VO = ±10V, RL = 50k or 2k
0.10
0.25
0.10
0.30
%
G = 10, VO = ±10V, RL = 50k or 2k
0.05
0.12
0.06
0.15
%
TCGE
Gain Error Drift
G = 100, RL = 50k or 2k
9
20
10
25
ppm/
°C
(Note 6)
G = 10, RL = 50k or 2k
5
10
6
14
ppm/
°C
GNL
Gain Nonlinearity
G = 100, RL = 50k
20
70
24
90
ppm
G = 100, RL = 2k
28
85
32
110
ppm
G = 10, RL = 50k or 2k
9
20
9
24
ppm
VOS
Input Offset Voltage
300
1400
400
2000
μV
ΔVOS/ΔT
Input Offset Voltage Drift
(Note 6)
2
8
3
12
μV/°C
lOS
Input Offset Current
0.3
4
0.4
6
nA
IB
Input Bias Current
±2
±10
±2.5
±15
nA
CMRR
Common Mode
VCM = ±10.3V
82
97
80
96
dB
Rejection Ratio
PSRR
Power Supply
VS = ±10V to ±17V
88
100
84
99
dB
Rejection Ratio
IS
Supply Current
TA = 125°C
2.5
mA
VO
Maximal Output
RL = 50k
±12.5 ±13.2
V
Voltage Swing
RL = 2k
±12.0 ±12.6
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS V
S =
±15V, VCM = 0V, Gain = 10 or 100, –55°C ≤ TA ≤ 125°C for AM/M grades,
–40
°C ≤ TA ≤ 85°C for I grades, unless otherwise noted.
LT1102AC
LT1102C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
UNITS
GE
Gain Error
G = 100, VO = ±10V, RL = 50k or 2k
0.04
0.11
0.05
0.14
%
G = 10, VO = ±10V, RL = 50k or 2k
0.03
0.09
0.04
0.12
%
TCGE
Gain Error Drift
G = 100, RL = 50k or 2k
8
18
9
22
ppm/
°C
(Note 6)
G = 10, RL = 50k or 2k
5
10
6
14
ppm/
°C
GNL
Gain Nonlinearity
G = 100, RL= 50k
8
30
9
40
ppm
G = 100, RL= 2k
11
36
12
48
ppm
G = 10, RL= 50k or 2k
8
18
8
22
ppm
VOS
Input Offset Voltage
230
1000
280
1400
μV
ΔVOS/ΔT
Input Offset Voltage Drift
(Note 6)
2
8
3
12
μV/°C
IOS
Input Offset Current
10
150
15
220
pA
ΔIOS/ΔT
Input Offset Current Drift
(Note 6)
0.5
3
0.5
4
pA/
°C
IB
Input Bias Current
±40
±300
±50 ±400
pA
ΔIB/ΔT
lnput Bias Current Drift
(Note 6)
1
4
1
6
pA/
°C
CMRR
Common Mode
VCM = ±10.3V
83
98
81
97
dB
Rejection Ratio
PSRR
Power Supply
VS = ±10V to ±17V
87
101
85
100
dB
Rejection Ratio
IS
Supply Current
TA = 70°C
2.8
2.9
mA
VO
Maximum Output
RL = 50k
±12.8
±13.4
±12.8 ±13.4
V
Voltage Swing
RL = 2k
±12.0
±12.8
±12.0 ±12.8
V
VS = ±15V, VCM = 0V, Gain = 10 or 100, 0°C ≤ TA ≤ 70°C, unless otherwise noted.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LT1102ACN8#PBF | 功能描述:IC PREC INSTRMNT-AMP JFET 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:Excalibur™ 放大器類型:J-FET 電路數(shù):1 輸出類型:- 轉(zhuǎn)換速率:45 V/µs 增益帶寬積:10MHz -3db帶寬:- 電流 - 輸入偏壓:20pA 電壓 - 輸入偏移:490µV 電流 - 電源:1.7mA 電流 - 輸出 / 通道:48mA 電壓 - 電源，單路/雙路(±):4.5 V ~ 38 V，±2.25 V ~ 19 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| LT1102AM | 制造商:LINER 制造商全稱:Linear Technology 功能描述:High Speed, Precision, JFET Input Instrumentation Amplifier(Fixed Gain=10 or 100) |
| LT1102AMH | 制造商:LINER 制造商全稱:Linear Technology 功能描述:High Speed, Precision, JFET Input Instrumentation Amplifier(Fixed Gain=10 or 100) |
| LT1102C | 制造商:LINER 制造商全稱:Linear Technology 功能描述:High Speed, Precision, JFET Input Instrumentation Amplifier(Fixed Gain=10 or 100) |
| LT1102CH | 制造商:LINER 制造商全稱:Linear Technology 功能描述:High Speed, Precision, JFET Input Instrumentation Amplifier (Fixed Gain = 10 or 100) |
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