參數(shù)資料
型號： LTC1155IN8
廠商： LINEAR TECHNOLOGY CORP
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual High Side Micropower MOSFET Driver
中文描述： 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDIP8
封裝： 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大?。?/td> 340K
代理商： LTC1155IN8
13
LTC1155
U
High Efficiency 60Hz Full-Wave Synchronous Rectifier
S
A
O
PPLICATI
TYPICAL
Push-Pull Driver with Shoot-Through Current Lockout (f
O
< 100Hz)
1155 TA14
LTC1155
GND
IN2
G2
DS1
V
S
DS2
G1
IN1
9V/3A
DC
4
×
IRFZ44*
18V
1N4746A
**
–
+
1N4148
1N4148
7
6
4
3
2
100k
10
10k
100k
6.3V AC
110V AC
4700
μ
F
16V
D
S
D
MOSFETs ARE SYNCHRONOUSLY ENHANCED WHEN RECTIFIER CURRENT EXCEEDS 300mA
*NO HEATSINK REQUIRED
**INTERNAL BODY DIODE OF MOSFET
LT1006
10k
18V
1N4746A
D
S
D
S
**
**
0.03
+
S
**
1155 TA15
*OPPOSING GATE MUST DROP BELOW 2V BEFORE THE OTHER IS CHARGED
0.1
μ
F
300k
0.01
LTC1155
GND
IN2
G2
DS2
V
S
DS1
G1
IN1
4.5V TO 6V
1N4148
100k
5V
HI/LO
74HC02
10
μ
F
IRLZ24
*
V
OUT
1N4148
100k
IRFZ24
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1155IS8 Dual High Side Micropower MOSFET Driver
LTC1156C Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
LTC1156 Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
LTC1156CN Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
LTC1156CS Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
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參數(shù)描述
LTC1155IN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1155IS8 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1155IS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1155IS8#TR 功能描述:IC DRIVER MOSF HISIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1155IS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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