型號: | LTC1155M |
廠商: | Linear Technology Corporation |
英文描述: | Dual High Side Micropower MOSFET Driver |
中文描述: | 雙路高端微功率MOSFET驅(qū)動器 |
文件頁數(shù): | 4/16頁 |
文件大小: | 340K |
代理商: | LTC1155M |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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LTC1155MJ8 | Dual High Side Micropower MOSFET Driver |
LTC1155IN8 | Dual High Side Micropower MOSFET Driver |
LTC1155IS8 | Dual High Side Micropower MOSFET Driver |
LTC1156C | Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump |
LTC1156 | Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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LTC1155MJ8 | 制造商:Linear Technology 功能描述:MOSFET DRVR 0.1V 2-OUT Hi Side H Brdg 8-Pin CDIP |
LTC1156 | 制造商:LINER 制造商全稱:Linear Technology 功能描述:Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump |
LTC1156C | 制造商:LINER 制造商全稱:Linear Technology 功能描述:Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump |
LTC1156CN | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD 16DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
LTC1156CN#PBF | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD 16DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導啟動):- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應商設備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |