參數(shù)資料
型號： LTC1156C
廠商： Linear Technology Corporation
英文描述： Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
中文描述： 四高端微MOSFET驅(qū)動器，內(nèi)置電荷泵
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 231K
代理商： LTC1156C
2
LTC1156
A
Supply Voltage ....................................................... 22V
Input Voltage ..................... (V
S
+ 0.3V) to (GND – 0.3V)
Gate Voltage ....................... (V
S
+ 24V) to (GND – 0.3V)
Current (Any Pin)................................................. 50mA
U
G
W
A
W
U
W
A
R
BSOLUTE
XI
TI
S
ORDER PART
NUMBER
LTC1156CN
ORDER PART
NUMBER
LTC1156CS
1
2
3
4
5
6
7
8
TOP VIEW
16
15
14
13
12
11
10
9
GND
IN1
V
S
IN2
IN3
GND
IN4
V
S
G1
DS1
G2
DS2
DS3
G3
DS4
G4
N PACKAGE
16-LEAD PLASTIC DIP
T
JMAX
=
110
°
C,
θ
JA
=
120
°
C/W
TOP VIEW
S PACKAGE
16-LEAD PLASTIC SOL
T
JMAX
= 110
°
C,
θ
JA
= 130
°
C/W
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
GND
IN1
V
S
IN2
IN3
GND
IN4
V
S
G1
DS1
G2
DS2
DS3
G3
DS4
G4
Consult factory for Industrial and Military grade parts.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
V
S
I
Q
I
Q
I
Q
V
INH
V
INL
I
IN
C
IN
V
SEN
Supply Voltage
(Note 1)
G
4.5
18
V
Quiescent Current OFF
V
S
= 5V, V
IN
= 0V (Note 2)
V
S
= 5V, V
IN
= 5V (Note 3)
V
S
= 12V, V
IN
= 5V (Note 3)
16
40
μ
A
Quiescent Current ON
95
125
μ
A
Quiescent Current ON
180
400
μ
A
Input High Voltage
G
2.0
V
Input Low Voltage
G
0.8
V
Input Current
0V < V
IN
< V
S
G
±
1.0
μ
A
Input Capacitance
5
pF
Drain Sense Threshold
Voltage
80
75
100
100
120
125
mV
mV
G
I
SEN
V
GATE
– V
S
Drain Sense Input Current
0V < V
SEN
< V
S
V
S
= 5V
V
S
= 6V
V
S
= 12V
V
S
= 5V, C
GATE
= 1000pF
Time for V
GATE
> V
S
+ 2V
Time for V
GATE
> V
S
+ 5V
V
S
= 12V, C
GATE
= 1000pF
Time for V
GATE
> V
S
+ 5V
Time for V
GATE
> V
S
+ 10V
G
±
0.1
μ
A
Gate Voltage Above Supply
G
G
G
6.0
7.5
15
7.0
8.3
18
9.0
15.0
25
V
V
V
t
ON
Turn-ON Time
50
200
250
1100
750
2000
μ
s
μ
s
50
120
180
450
500
1200
μ
s
μ
s
Operating Temperature Range
LTC1156C .............................................0
°
C to 70
°
C
Storage Temperature Range ................. –65
°
C to 150
°
C
Lead Temperature (Soldering, 10 sec.).................300
°
C
ELECTRICAL C
HARA TERISTICS
V
S
= 4.5V to 18V, T
A
= 25
°
C, unless otherwise noted.
U
PACKAGE/ORDER U
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LTC1156 Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
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LTC1156CS Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
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參數(shù)描述
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LTC1156CS 制造商:LINER 制造商全稱:Linear Technology 功能描述:Quad High Side Micropower MOSFET Driver with Internal Charge Pump
LTC1156CSW 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD16SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
LTC1156CSW#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE QUAD16SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063
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