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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LTC1250M |
| 廠商： | Linear Technology Corporation |
| 英文描述： | Very Low Noise Zero-Drift Bridge Amplifier |
| 中文描述： | 極低噪聲零漂移放大器橋 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 258K |
| 代理商： | LTC1250M |
4
LTC1250
C
HARA TERISTICS
U
A
TYPICAL PERFOR
CE
Voltage Noise vs Frequency
FREQUENCY (Hz)
20
V
√
H
30
40
50
80
1
100
1k
10k
LTC1250 G11
0
10
70
60
10
V
S
= ±5V
R
S
= 10
FREQUENCY (Hz)
0
G
20
40
60
100
1k
100k
1M
10M
LTC1250 G10
–20
10k
80
0
P
20
40
60
100
–20
80
GAIN
PHASE:
R
L
= 1k
PHASE:
R
L
= 100k
V
= ±5V OR
SINGLE 5V
T
A
= 25°C
C
L
= 100pF
TEMPERATURE (°C)
–25
10
–50
100
1000
100
75
LTC1250 G14
125
B
|
p
|
)
50
0
25
V
S
= ±5V
FREQUENCY (Hz)
20
C
40
80
120
140
1
100
1k
100k
LTC1250 G12
0
10
10k
60
100
V
S
= ±5V
V
CM
= 1V
RMS
Common-Mode Rejection Ratio
vs Frequency
SUPPLY VOLTAGE (±V)
2
–8
I
–6
–4
–2
0
3
4
5
6
LTC1250 G07
2
4
6
8
7
8
T
A
= 25°C
0.2
0
0
–5
I
500
μ
s/DIV
A
V
= 100, R
L
= 100k, C
L
= 50pF, V
S
=
±
5V
O
Overload Recovery
2
1
μ
s/DIV
A
V
= 1, R
L
= 100k, C
L
= 50pF, V
S
=
±
5V
Transient Response
LOAD RESISTANCE (k
)
0
O
6
8
10
8
LTC1250 G08
4
2
0
2
4
6
10
1
3
5
7
9
1
3
5
7
9
R
L
TO GND
V
S
= ±8V
V
S
= ±5V
V
S
= ±2.5V
NEGATIVE SWING
POSITIVE SWING
Gain/Phase vs Frequency
Common-Mode Input Range
vs Supply Voltage
Output Swing vs Load
Resistance, Dual Supplies
Output Voltage Swing vs Load
Resistance, Single Supply
LOAD RESISTANCE (k
)
0
0
O
4
6
8
18
12
2
4
5
9
LTC1250 G09
2
14
16
10
1
3
6
7
8
V
S
= 16V
V
S
= 10V
V
S
= 5V
10
V
–
= GND
R
L
TO GND
Bias Current (Magnitude) vs
Temperature
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTC1255CN8 | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
| LTC1255C | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
| LTC1255 | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
| LTC1255I | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
| LTC1255CS8 | Dual 24V High-Side MOSFET Driver |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LTC1255CN8 | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
| LTC1255CN8#PBF | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
| LTC1255CS8 | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
| LTC1255CS8#PBF | 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF) |
| LTC1255CS8#TR | 功能描述:IC DRVR MOSF DUAL 24V HISD 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:21-SIP 模塊 供應(yīng)商設(shè)備封裝:模塊 包裝:散裝 配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 |
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