參數(shù)資料
型號： LXE18300
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： npn型微波功率晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 51K
代理商： LXE18300
1997 Feb 18
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LXE18300X
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
See “Mounting recommendations in the General part of handbook SC15”.
CHARACTERISTICS
T
mb
= 25
°
C unless otherwise specified.
APPLICATION INFORMATION
Microwave performance up to T
mb
= 25
°
C in a common emitter class AB amplifier.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
R
th j-mb
R
th mb-h
from junction to mounting base
from mounting base to heatsink
T
j
= 100
°
C
note 1
1.7
0.2
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
20
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
V
CB
= 20 V; I
E
= 0
V
CB
= 40 V; I
E
= 0
V
CE
= 30 V; R
BE
= 220
V
CE
= 20 V; I
B
= 0
V
EB
= 1.5 V; I
C
= 0
V
CE
= 3 V; I
C
= 3 A
3
30
30
30
300
100
mA
mA
mA
mA
μ
A
I
CER
I
CEO
I
EBO
h
FE
collector cut-off current
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
V
CE
(V)
I
CQ
(A)
P
L1
(W)
G
PO
(dB)
Class AB (CW)
1.85
24
0.3
≥
27; typ. 30
≥
8; typ. 9
MAINTENANCE TYPE - NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS; SEE INDEX SECTION OF SC15
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PDF描述
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