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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12S16161A-7BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 6.40 X 10.10 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 20/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 628K |
| 代理商： | M12S16161A-7BG |
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ES MT
Clock Suspension & DQM Operation Cycle @CAS Latency=2, Burst Length=4
M12S16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
May. 2007
Revision
:
1.1
20/29
*Note:1.DQM is needed to prevent bus contention.
C L O C K
C K E
A D D R
DQ
DQ M
A10/AP
Ra
Ca
Cb
C c
Ra
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
t
S H Z
Qb1
Qb0
t
S H Z
Dc0
Dc2
*Not e 1
Row Active
Read
Clock
Suspension
Read
Read DQM
W rite
W rite
DQ M
Clock
Suspension
W rite
DQ M
:Don't Care
BA
CS
RAS
CAS
W E
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12S16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12S16161A-7BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S16161A-7TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12S17W30 | 功能描述:電容硬件 MOUNTING HARDWARE RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 系列: 產(chǎn)品: 封裝: |
| M12S22W30 | 制造商:Cornell Dubilier Electronics 功能描述:Cap Accessories Hex Nut Nylon 制造商:CORNELL DUBILIER ELECTRONICS 功能描述:Nuts Hex Hex 30mm 18mm Nylon |
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