參數(shù)資料
型號(hào)： M12S16161A-7BG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
中文描述： 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60
封裝： 6.40 X 10.10 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-60
文件頁(yè)數(shù)： 7/29頁(yè)
文件大?。?/td> 628K
代理商： M12S16161A-7BG
ES MT
M12S16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
May. 2007
Revision
:
1.1
7/29
FREQUENCY vs. AC PARAMENTER RELATIONSHIP TABLE
M12S16161A-7T(G)
(Unit: number of clock)
t
CCD
t
CDL
7ns
7ns
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
t
RC
63ns
9
8
7
7
6
t
RAS
42ns
6
6
5
5
4
t
RP
20ns
3
3
3
2
2
t
RRD
14ns
2
2
2
2
2
t
RCD
20ns
3
3
3
2
2
t
RDL
14ns
2
2
2
2
2
Frequency
CAS
Latency
3
3
2
2
2
143MHz(7.0ns)
125MHz(8.0ns)
111MHz(9.0ns)
100MHz(10.0ns)
83MHz(12.0ns)
Note : 1. t
RDL
≥
16.7ns is recommended for M12S16161A.
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PDF描述
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