參數(shù)資料
型號(hào)： M12S64322A-6BG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90
封裝： 13 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-90
文件頁(yè)數(shù)： 29/46頁(yè)
文件大?。?/td> 746K
代理商： M12S64322A-6BG
ES MT
M12S64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2007
Revision
:
1.0
29/46
Single Bit Read-Write-Read Cycle(Same Page) @ CAS Latency = 3,Burst Length = 1
: D o n ' t C a r e
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
BA0,BA1
t
CH
t
CL
t
CC
t
R A S
t
RC
t
S H
t
S S
t
RCD
t
SH
t
S S
t
SH
t
S S
*Not e 2
Row Active
Read
W r ite
Read
Row Active
Precharge
t
RP
t
S S
Ra
t
S H
Rb
t
SH
t
S S
t
SH
t
S S
t
S S
t
O H
t
S L Z
t
S A C
*Not e 3
*Not e 4
*No t e 2, 3
* No t e 2, 3
*No t e 2, 3
BS
BS
BS
Cb
C c
* Not e 3
Db
Qa
* Not e 3
* Not e 4
t
S H
B S
BS
BS
*Not e 1
H I G H
t
CCD
Ra
*Not e 2
Ca
Qc
Rb
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M12S64322A-6TG 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12S64322A-7BG 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12S64322A-7TG 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M13S128168A 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-5BG 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
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參數(shù)描述
M12S64322A-6TG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12S64322A-7BG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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M12SW 功能描述:測(cè)試接頭 Modular Oscilloscope RoHS:否 制造商:Murata 連接器類型: 設(shè)備類型: 顏色: 觸點(diǎn)材料:
M12T-04BFFB-SL7002 功能描述:CONN PLUG FMALE 4POS GOLD SCREW 制造商:amphenol ltw 系列:M 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插頭，母型插口 針腳數(shù):4 外殼尺寸 - 插件:M12-4 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:螺釘 緊固類型:有螺紋 朝向:T 侵入防護(hù):IP67 - 防塵，防水 外殼材料，鍍層:鋅合金，鍍鎳 觸頭鍍層:金 特性:底殼，聯(lián)接螺母 電壓 - 額定:60VDC 額定電流:12A 觸頭鍍層厚度:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
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