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參數(shù)資料
| 型號： | M12S64322A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 40/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 746K |
| 代理商： | M12S64322A-6BG |
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ES MT
M12S64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2007
Revision
:
1.0
40/46
Write interrupted by Precharge Command & Write Burst Stop Cycle @ Burst Length = Full page
*Note : 1. Data-in at the cycle of interrupted by precharge can not be written into the corresponding memory cell. It is defined by
AC parameter of t
RDL
.
DQM at write interrupted by precharge command is needed to prevent invalid write.
DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst. Input
data after Row precharge cycle will be masked internally.
2. Burst stop is valid at every burst length.
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
BA1
BA0
RAa
CAa
CAb
RAa
DAa0 DAa1
DAb1
DAb0
DAb2
Row Active
(A-Bank)
W rite
(A-Bank)
Burst Stop
W rite
(A-Bank)
:Don't Care
HIGH
DAa2 DAa3 DAa4
DAb3 DAb4 DAb5
Precharge
(A-Bank)
t
B D L
t
RD L
* Not e 1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12S64322A-6TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M13S128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-5BG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12S64322A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12S64322A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12SW | 功能描述:測試接頭 Modular Oscilloscope RoHS:否 制造商:Murata 連接器類型: 設(shè)備類型: 顏色: 觸點(diǎn)材料: |
| M12T-04BFFB-SL7002 | 功能描述:CONN PLUG FMALE 4POS GOLD SCREW 制造商:amphenol ltw 系列:M 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插頭，母型插口 針腳數(shù):4 外殼尺寸 - 插件:M12-4 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:螺釘 緊固類型:有螺紋 朝向:T 侵入防護(hù):IP67 - 防塵，防水 外殼材料，鍍層:鋅合金，鍍鎳 觸頭鍍層:金 特性:底殼，聯(lián)接螺母 電壓 - 額定:60VDC 額定電流:12A 觸頭鍍層厚度:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 |
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