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參數(shù)資料
| 型號： | M12S64322A-7BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 27/46頁 |
| 文件大小： | 746K |
| 代理商： | M12S64322A-7BG |
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ES MT
M12S64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2007
Revision
:
1.0
27/46
Current
State
Precharging
CS
RAS
CAS
WE
BA
X
X
X
BA
BA
BA
X
X
X
X
BA
BA
BA
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
ADDR
X
X
X
CA
RA
A10/AP
X
X
X
X
CA
RA
A10/AP
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
ACTION
Note
H
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
H
L
L
L
L
X
H
H
H
L
L
L
X
H
H
H
L
L
L
X
H
H
L
L
X
H
H
H
L
X
H
H
L
H
H
L
X
H
H
L
H
H
L
X
H
L
H
L
X
H
H
L
X
X
H
L
X
H
L
X
X
H
L
X
H
L
X
X
X
X
X
X
X
H
L
X
X
NOP
Idle after t
RP
NOP
Idle after t
RP
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
NOP
Idle after t
RDL
ILLEGAL
NOP
Row Active after t
RCD
NOP
Row Active after t
RCD
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
NOP
Idle after t
RC
NOP
Idle after t
RC
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
NOP
Idle after 2clocks
NOP
Idle after 2clocks
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
2
2
2
4
2
2
2
2
Row
Activating
Refreshing
Mode
Register
Accessing
Abbreviations :
RA = Row Address
NOP = No Operation Command
BA = Bank Address
CA = Column Address
AP = Auto Precharge
*Note : 1. All entries assume the CKE was active (High) during the precharge clock and the current clock cycle.
2. Illegal to bank in specified state ; Function may be legal in the bank indicated by BA, depending on the state of the
bank.
3. Must satisfy bus contention, bus turn around, and/or write recovery requirements.
4. NOP to bank precharge or in idle state. May precharge bank indicated by BA (and A10/AP).
5. Illegal if any bank is not idle.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12S64322A-7TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M13S128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-5BG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-5T | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
| M13S128168A-5TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12S64322A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12SW | 功能描述:測試接頭 Modular Oscilloscope RoHS:否 制造商:Murata 連接器類型: 設(shè)備類型: 顏色: 觸點材料: |
| M12T-04BFFB-SL7002 | 功能描述:CONN PLUG FMALE 4POS GOLD SCREW 制造商:amphenol ltw 系列:M 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插頭，母型插口 針腳數(shù):4 外殼尺寸 - 插件:M12-4 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:螺釘 緊固類型:有螺紋 朝向:T 侵入防護:IP67 - 防塵，防水 外殼材料，鍍層:鋅合金，鍍鎳 觸頭鍍層:金 特性:底殼，聯(lián)接螺母 電壓 - 額定:60VDC 額定電流:12A 觸頭鍍層厚度:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 標準包裝:10 |
| M12T-04BMMB-SL7002 | 功能描述:CONN RCPT MALE 4POS GOLD SCREW 制造商:amphenol ltw 系列:M 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插座，公形引腳 針腳數(shù):4 外殼尺寸 - 插件:M12-4 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:螺釘 緊固類型:有螺紋 朝向:T 侵入防護:IP67 - 防塵，防水 外殼材料，鍍層:鋅合金，鍍鎳 觸頭鍍層:金 特性:后殼 電壓 - 額定:60VDC 額定電流:12A 觸頭鍍層厚度:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 標準包裝:10 |
| M12T-04PFFS-SF8B15 | 功能描述:CBL FMALE TO WIRE LEAD 4POS 制造商:amphenol ltw 系列:- 零件狀態(tài):在售 第一連接器:M12 母頭 第二連接器:電線引線 針腳數(shù):4 加載的針腳數(shù):全部 長度:0.49'（150.00mm） 電纜類型:單條 顏色:多個 屏蔽:屏蔽 使用:工業(yè)環(huán)境 - IP68，面板安裝 標準包裝:1 |
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