參數(shù)資料
型號(hào)： M12S64322A-7BG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
中文描述： 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA90
封裝： 13 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-90
文件頁(yè)數(shù)： 6/46頁(yè)
文件大?。?/td> 746K
代理商： M12S64322A-7BG
ES MT
M12S64322A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: May. 2007
Revision
:
1.0
6/46
CAPACITANCE
(V
DD
= 2.5V, T
A
= 25
C
° , f = 1MHZ)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance (A0 ~ A10, BA0 ~ BA1)
CIN1
2.5
4
pF
Input capacitance
(CLK, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
& DQM)
CIN2
2.5
4
pF
Data input/output capacitance (DQ0 ~ DQ31)
COUT
2
6.5
pF
DC CHARACTERISTICS
Recommended operating condition unless otherwise noted
，
T
A
= 0 to 70°
Version
Parameter
Symbol
Test Condition
CAS
Latency
-6
-7
Note
Operating Current
(One Bank Active)
I
CC1
Burst Length = 1
t
RC
≥
t
RC(min)
I
OL
= 0 mA
160
140
mA
1,2
I
CC2P
CKE
≤
V
IL
(max), tcc = 15ns
2
Precharge Standby Current
in power-down mode
I
CC2PS
CKE & CLK
≤
V
IL
(max), t
cc
=
∞
2
mA
I
CC2N
CKE
≥
V
IH
(min), CS
≥
V
IH
(min), t
cc
= 15ns
Input signals are changed one time during 30ns
30
Precharge Standby Current
in non power-down mode
I
CC2NS
CKE
≥
V
IH
(min), CLK
≤
V
IL
(max), t
cc
=
∞
input signals are stable
10
mA
I
CC3P
CKE
≤
V
IL
(max), tcc = 15ns
10
Active Standby Current
in power-down mode
I
CC3PS
CKE & CLK
≤
V
IL
(max), t
cc
=
∞
10
mA
I
CC3N
CKE
≥
VIH(min), CS
≥
V
IH
(min), tcc = 15ns
Input signals are changed one time during 30ns
40
mA
Active Standby Current
in non power-down mode
(One Bank Active)
I
CC3NS
CKE
≥
V
IH
(min), CLK
≤
V
IL
(max), tcc =
∞
input signals are stable
10
mA
3
250
220
Operating Current
(Burst Mode)
I
CC4
IOL = 0 mA
Page Burst
2 Banks activated
2
200
180
mA
1,2
Refresh Current
Self Refresh Current
I
CC5
I
CC6
t
RC
≥
t
RC(min)
CKE
≤
0.2V
310
285
mA
mA
2
Note : 1. Measured with outputs open.
2. Input signals are changed one time during 2 CLKS.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M12S64322A-7TG 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M13S128168A 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-5BG 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-5T 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
M13S128168A-5TG 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M12S64322A-7TG 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M12SW 功能描述:測(cè)試接頭 Modular Oscilloscope RoHS:否 制造商:Murata 連接器類型: 設(shè)備類型: 顏色: 觸點(diǎn)材料:
M12T-04BFFB-SL7002 功能描述:CONN PLUG FMALE 4POS GOLD SCREW 制造商:amphenol ltw 系列:M 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插頭，母型插口 針腳數(shù):4 外殼尺寸 - 插件:M12-4 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:螺釘 緊固類型:有螺紋 朝向:T 侵入防護(hù):IP67 - 防塵，防水 外殼材料，鍍層:鋅合金，鍍鎳 觸頭鍍層:金 特性:底殼，聯(lián)接螺母 電壓 - 額定:60VDC 額定電流:12A 觸頭鍍層厚度:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
M12T-04BMMB-SL7002 功能描述:CONN RCPT MALE 4POS GOLD SCREW 制造商:amphenol ltw 系列:M 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 連接器類型:插座，公形引腳 針腳數(shù):4 外殼尺寸 - 插件:M12-4 外殼尺寸，MIL:- 安裝類型:自由懸掛 端接:螺釘 緊固類型:有螺紋 朝向:T 侵入防護(hù):IP67 - 防塵，防水 外殼材料，鍍層:鋅合金，鍍鎳 觸頭鍍層:金 特性:后殼 電壓 - 額定:60VDC 額定電流:12A 觸頭鍍層厚度:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
M12T-04PFFS-SF8B15 功能描述:CBL FMALE TO WIRE LEAD 4POS 制造商:amphenol ltw 系列:- 零件狀態(tài):在售 第一連接器:M12 母頭 第二連接器:電線引線 針腳數(shù):4 加載的針腳數(shù):全部 長(zhǎng)度:0.49'（150.00mm） 電纜類型:單條 顏色:多個(gè) 屏蔽:屏蔽 使用:工業(yè)環(huán)境 - IP68，面板安裝 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*