- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377802 > M25P16-VMN3TG (意法半導(dǎo)體) 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M25P16-VMN3TG |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 16/55頁 |
| 文件大小： | 335K |
| 代理商： | M25P16-VMN3TG |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁當(dāng)前第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁
Memory organization
M25P16
16/55
5
Memory organization
The memory is organized as:
2 097 152 bytes (8 bits each)
32 sectors (512 Kbits, 65536 bytes each)
8192 pages (256 bytes each).
●
●
●
Each page can be individually programmed (bits are programmed from 1 to 0). The device is
Sector or Bulk Erasable (bits are erased from 0 to 1) but not Page Erasable.
Figure 7.
Block diagram
AI04987
HOLD
S
W
Control Logic
High Voltage
Generator
I/O Shift Register
Address Register
and Counter
256 Byte
Data Buffer
256 Bytes (Page Size)
X Decoder
Y
Size of the
read-only
memory area
C
D
Q
Status
Register
00000h
1FFFFFh
000FFh
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25P16-VMN3TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMN6G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMN6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMN6TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P16-VMP3G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25P16VMN3TP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
| M25P16-VMN3TP | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit, serial Flash memory, 75 MHz SPI bus interface |
| M25P16-VMN3TP/4 | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| M25P16-VMN3TPB | 功能描述:IC SRL FLSH 16MBIT 3V 75MHZ S08N RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| M25P16-VMN3YPB | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE, SERIAL NOR, 16MB - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 16MBIT 75MHZ 8SO |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。