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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M28F101-100XP6 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1 MB的128K的× 8，芯片擦除閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 197K |
| 代理商： | M28F101-100XP6 |
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AI00672
tWHGL
tVPHEL
VALID
tELQV
tEHQZ
tAVQV
A0-A16
E
G
DQ0-DQ7
DATA OUT
COMMAND
VPP
W
tAXQX
tGHQZ
tGLQV
READ
READ SET-UP
tWLWH
tWHDX
tDVWH
tGHWL
tELWL
tWHEH
Figure6. Read Command Waveforms
AI00671
tAVAV
tAVQV
tAXQX
tELQV
tELQX
tEHQZ
tGLQV
tGLQX
tGHQZ
DATA OUT
A0-A16
E
G
DQ0-DQ7
Figure5. Read Mode ACWaveforms
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M28F101
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28F101-100XP3 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-100XN6 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-100XN3 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-100XK6 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-100XK3 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28F101-120K1 | 功能描述:閃存 RO 511-M29F010B90K PLCC-32 128KX8 120NS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28F101-120K1TR | 功能描述:閃存 1M (128Kx8) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28F101-120K3 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-120K6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-120N1 | 功能描述:閃存 1M (128Kx8) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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