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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M28F101-120N3 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 1 MB的128K的× 8，芯片擦除閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 20/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 197K |
| 代理商： | M28F101-120N3 |
PLCC
D
D1
Ne
E1 E
1 N
Nd
CP
B
D2/E2
e
B1
A1
A
Symb
mm
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
2.54
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0.100
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A1
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B
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0.53
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D
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D1
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11.56
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D2
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E
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E1
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e
1.27
–
–
0.050
–
–
N
32
32
Nd
7
7
Ne
9
9
CP
0.10
0.004
PLCC32
Drawing is not to scale.
PLCC32 - 32 lead Plastic Leaded Chip Carrier,rectangular
20/23
M28F101
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28F101-120N1 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-120K6 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-120K3 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-100XP6 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-100XP3 | 1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28F101-120N6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-120P1 | 功能描述:閃存 RO 511-M29F010B90P DIP-32 128KX8 120NS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M28F101-120P3 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-120P6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
| M28F101-120XK1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Mb 128K x 8, Chip Erase FLASH MEMORY |
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