參數資料
型號： M28W800BB100ZB1
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 512K X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA46
封裝： 6.39 X 6.37 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-46
文件頁數： 11/42頁
文件大小： 289K
代理商： M28W800BB100ZB1
19/42
M28W800BT, M28W800BB
Table 11. DC Characteristics
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
ILI
Input Leakage Current
0V
≤ VIN ≤ VDDQ
±1
A
ILO
Output Leakage Current
0V
≤ VOUT ≤VDDQ
±10
A
IDD
Supply Current (Read)
E =VSS,G =VIH,f = 5MHz
10
20
mA
IDD1
Supply Current (Stand-by or
Automatic Stand-by)
E =VDDQ ±0.2V,
RP =VDDQ ± 0.2V
15
50
A
IDD2
Supply Current
(Reset)
RP =VSS ± 0.2V
15
50
A
IDD3
Supply Current (Program)
Program in progress
VPP =12V ± 5%
10
20
mA
Program in progress
VPP =VDD
10
20
mA
IDD4
Supply Current (Erase)
Erase in progress
VPP =12V ± 5%
520
mA
Erase in progress
VPP =VDD
520
mA
IDD5
Supply Current
(Program/Erase Suspend)
E =VDDQ ±0.2V,
Erase suspended
50
A
IPP
Program Current
(Read or Stand-by)
VPP >VDD
400
A
IPP1
Program Current
(Read or Stand-by)
VPP ≤ VDD
5A
IPP2
Program Current (Reset)
RP =VSS ± 0.2V
5A
IPP3
Program Current (Program)
Program in progress
VPP =12V ± 5%
10
mA
Program in progress
VPP =VDD
5A
IPP4
Program Current (Erase)
Erase in progress
VPP =12V ± 5%
10
mA
Erase in progress
VPP =VDD
5A
VIL
Input Low Voltage
–0.5
0.4
V
VDDQ ≥ 2.7V
–0.5
0.8
V
VIH
Input High Voltage
VDDQ –0.4
VDDQ +0.4
V
VDDQ ≥ 2.7V
0.7 VDDQ
VDDQ +0.4
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 100A, VDD =VDD min,
VDDQ =VDDQ min
0.1
V
VOH
Output High Voltage
IOH = –100A, VDD =VDD min,
VDDQ =VDDQ min
VDDQ –0.1
V
VPP1
Program Voltage (Program or
Erase operations)
1.65
3.6
V
VPPH
Program Voltage
(Program or Erase
operations)
11.4
12.6
V
VPPLK
Program Voltage
(Program and Erase lock-out)
1V
VLKO
VDD Supply Voltage (Program
and Erase lock-out)
2V
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PDF描述
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參數描述
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M28W800BT100N6T 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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