參數(shù)資料
型號： M28W800BB100ZB1
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 512K X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA46
封裝： 6.39 X 6.37 MM, 0.75 MM PITCH, TFBGA-46
文件頁數(shù)： 17/42頁
文件大?。?/td> 289K
代理商： M28W800BB100ZB1
M28W800BT, M28W800BB
24/42
Table 14. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. Applicable if VPP is seen as a logic input (VPP <3.6V).
Symbol
Alt
Parameter
M28W800B
Unit
70
85
90
100
tAVAV
tWC
Write Cycle Time
Min
70
85
90
100
ns
tAVEH
tAS
Address Valid to Chip Enable High
Min
45
50
ns
tDVEH
tDS
Data Valid to Chip Enable High
Min
45
50
ns
tEHAX
tAH
Chip Enable High to Address Transition
Min
0
ns
tEHDX
tDH
Chip Enable High to Data Transition
Min
0
ns
tEHEL
tCPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
25
30
ns
tEHGL
Chip Enable High to Output Enable Low
Min
25
30
ns
tEHWH
tWH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
ns
tELEH
tCP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
45
50
ns
tELQV
Chip Enable Low to Output Valid
Min
70
85
90
100
ns
tQVVPL
(1,2)
Output Valid to VPP Low
Min
0
ns
tQVWPL
Data Valid to Write Protect Low
Min
0
ns
tVPHEH
(1)
tVPS
VPP High to Chip Enable High
Min
200
ns
tWLEL
tCS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
ns
tWPHEH
Write Protect High to Chip Enable High
Min
45
50
ns
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PDF描述
M29F102B-90N1TR 64K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO40
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參數(shù)描述
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M28W800BB90ZB6T 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M28W800BT100N6T 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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